晶圓和光罩污染標準
晶圓和光掩模污染標準改進您的表面缺陷檢測
優質表面缺陷污染標準：
提高您的半導體制造檢測系統的整體性能，
減少檢查/計量工具組中的不一致，以及
最大限度地提高設備產量
為半導體行業提供晶圓污染標準和掩模版污染標準，以實現一致且可重復的顆粒尺寸和計數控制。MSP 為晶圓和掩模版檢測工具提供認證標準，用于開發、鑒定、校準和監控晶圓和掩模版/光掩模檢測系統。指定尺寸、成分和數量的顆粒沉積在您選擇的基材上，包括晶片、6 英寸光罩（任何類型）和其他不太常見的基材。顆粒可以沉積在 100 毫米到 300 毫米的裸片、薄膜和圖案晶圓上。
發展\部署\遞送
我們的晶圓和掩模版污染標準用于開發半導體檢測工具、工藝工具和制造工藝。它們用于具有檢驗系統和流程的工廠，用于資格和驗收，以及在其使用壽命期間維護設備/流程和性能。MSP 的污染標準支持電子設備的大批量制造 (HVM) 和交付。
Dev-Dep 開發污染標準開發： MSP DEV-DEP開發污染標準
MSP Dev-Dep開發污染標準有助于加速產品和工藝開發。在 MSP 顆粒沉積專家的支持下，這些標準是完全定制的，以滿足您應用的獨特和具有挑戰性的要求。
Qual-Dep 資格污染標準部署： MSP QUAL-DEP資格污染標準
MSP Qual-Dep認證污染標準伴隨著安裝在半導體工廠中的檢測系統。這些是特定于工具的標準，可以可靠地展示現場性能、降低驗收風險并幫助匹配系統。OEM 晶圓和掩模版污染標準可以批量購買，具有專用部件號和更低的價格。
Cal-Dep 校準污染標準品交付： MSP CAL-DEP校準污染標準品
檢查系統需要在其整個使用壽命期間定期校準，以確保性能一致，這對于作為設備制造中高級過程控制 (APC) 一部分的統計過程控制 (SPC) 至關重要。MSP Cal-Dep校準污染標準是高度準確的標準，可幫助您保持工具的性能，因此您的制造過程可以始終如一地提供高質量的產品。這些晶圓/光掩模污染標準品采用明確定義的配方存放，可以快速生產以實現快速交付。
準確可追溯,精確且可重復
我們的微分遷移率分析儀 (DMA) 精確控制沉積顆粒直徑的模式（峰值）和變化。DMA 使用可用的最佳粒徑參考材料（包括 NIST 的 PSL 球體）通過 SI 可追溯性進行校準。
MSP 的粒徑（10 nm 至 20 μm）和計數（每次沉積 400 至 >100,000 個顆粒）在基材之間具有極高的可重復性。光斑直徑（通常為 10-30 毫米）和光斑位置在每個沉積物上都是一致的（可在亞毫米精度下進行調節）。
我們快速的基板處理速度意味著您的污染標準會迅速返回給您。周轉速度越快，您的產品開發、認證和校準的速度就越快。
MSP 的晶圓和光罩污染標準滿足當今的檢測和計量應用，包括：
可追溯校準和匹配舊校準標準
來料裸片檢驗/鑒定
毯式薄膜監控
來料光罩檢驗/鑒定
生產光罩監控
檢測工具的開發和認證
工藝工具鑒定和監控
